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JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER  (2015)

Evolution of the doping regimes in the Al-doped SnO2 nanoparticles prepared by a polymer precursor method

Aragon F.H.; Coaquira J.A.H.; Villegas-Lelovsky L.; Da Silva S.W.; Cesar D.F.; Nagamine L.C.C.M.; Cohen, R; Menendez-Proupin, E; Morais P.C.

Keywords: doped oxide semiconductor; interstitial position; substitutional position

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Título según WOS: Evolution of the doping regimes in the Al-doped SnO2 nanoparticles prepared by a polymer precursor method
Título según SCOPUS: Evolution of the doping regimes in the Al-doped SnO2 nanoparticles prepared by a polymer precursor method
Título de la Revista: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
Volumen: 27
Número: 9
Editorial: IOP PUBLISHING LTD
Fecha de publicación: 2015
Idioma: English
DOI:

10.1088/0953-8984/27/9/095301
Notas: ISI, SCOPUS