Evolution of the amount of InAs in wetting layers in an InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy
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Título de la Revista: | NANOTECHNOLOGY |
Volumen: | 17 |
Editorial: | IOP PUBLISHING LTD |
Fecha de publicación: | 2006 |
Página de inicio: | 2207 |
Página final: | 2211 |