First principle study of V-implantation in highly-doped silicon materials

García G.; Casanova-Páez M.; Palacios P.; Menéndez-Proupin E.; Wahnón P.

Más información

Título según WOS: First principle study of V-implantation in highly-doped silicon materials
Título según SCOPUS: First principle study of V-implantation in highly-doped silicon materials
Título de la Revista: COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE
Volumen: 136
Editorial: ELSEVIER SCIENCE BV
Fecha de publicación: 2017
Página de inicio: 207
Página final: 215
Idioma: English
DOI:

10.1016/j.commatsci.2017.05.005

Notas: ISI, SCOPUS