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COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE  (2017)

First principle study of V-implantation in highly-doped silicon materials

García G.; Casanova-Páez M.; Palacios P.; Menéndez-Proupin E.; Wahnón P.

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Título según WOS: First principle study of V-implantation in highly-doped silicon materials
Título según SCOPUS: First principle study of V-implantation in highly-doped silicon materials
Título de la Revista: COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE
Volumen: 136
Editorial: Elsevier
Fecha de publicación: 2017
Página de inicio: 207
Página final: 215
Idioma: English
DOI:

10.1016/j.commatsci.2017.05.005
Notas: ISI, SCOPUS