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SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY  (2018)

Defect properties of Sn- and Ge-doped ZnTe: suitability for intermediate-band solar cells

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Título según WOS: Defect properties of Sn- and Ge-doped ZnTe: suitability for intermediate-band solar cells
Título según SCOPUS: Defect properties of Sn- and Ge-doped ZnTe: Suitability for intermediate-band solar cells
Título de la Revista: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
Volumen: 33
Número: 1
Editorial: IOP PUBLISHING LTD
Fecha de publicación: 2018
Idioma: English
DOI:

10.1088/1361-6641/aa9a8b
Notas: ISI, SCOPUS - WOS