Tall triple-gate devices with TiN/HfO2 gate stack

Singanamalla, R.; Yim, Y.S.; Goodwin, M.; Hooker, J.C.; De Meyer, K.; Jurezak, M.

Más información

Título de la Revista: 2005 Symposium on VLSI Technology
Fecha de publicación: 2005
Página de inicio: 108
Página final: 109
DOI:

DOI: 10.1109/.2005.1469231

Notas: SCOPUS