MOCVD processes for electronic materials adopting Bi(C 6H 5) 3 precursor

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Título de la Revista: Materials Research Society Symposium Proceedings
Volumen: 811
Editorial: Materials Research Society
Fecha de publicación: 2004
Página de inicio: 99
Página final: 104
DOI:

DOI: 10.1557/proc-811-d3.21

Notas: SCOPUS