Comparing the state-of-the-art SiC MOSFETs: test results reveal characteristics of four major manufacturers of 900-V and 1.2-kV SiC devices
Más información
| Título de la Revista: | IEEE POWER ELECTRONICS MAGAZINE |
| Volumen: | 4 |
| Fecha de publicación: | 2017 |
| Página de inicio: | 36 |
| Página final: | 45 |