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JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS  (2007)

Formation of hexagonal silicon carbide by high energy ion beam irradiation on Si(100) substrate

Bhuyan, H; Favre, M; Valderrama, E; Avaria, G.; Chuaqui, H; Mitchell, I; Wyndham, E; Saavedra, R; Paulraj, M.

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Título de la Revista: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
Volumen: 40
Asunto: 1
Editorial: IOP PUBLISHING LTD
Fecha de publicación: 2007
Página de inicio: 127
Página final: 131
DOI/URL:

10.1088/0022-3727/40/1/003