Article ISI
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS  (2007)

Formation of hexagonal silicon carbide by high energy ion beam irradiation on Si(100) substrate

Bhuyan, H; Favre, M; Valderrama E.; Avaria G.; Chuaqui, H; Mitchell I.; Wyndham, E; SAAVEDRA, R; Paulraj M.

Más información

Título de la Revista: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
Volumen: 40
Asunto: 1
Editorial: IoP
Fecha de publicación: 2007
Página de inicio: 127
Página final: 131
DOI/URL:

10.1088/0022-3727/40/1/003