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OPTIK  (2019)

Optically-activated cascode configuration for 650 V GaN FET devices and packaging parasitic inductance effects

Hemmat, Z.; Mojab, A.; Moreno, E.; Ahmadiparidari, A.; Paryavi, M.; Alizadeh, M.; Michael, E.A.

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Título de la Revista: OPTIK
Editorial: ELSEVIER BV
Fecha de publicación: 2019
Página de inicio: 909
Página final: 917
DOI/URL:

10.1016/j.ijleo.2018.10.086