Optimized Ni Oxidation in 80-nm Contact Holes for Integration of Forming-Free and Low-Power Ni/NiO/Ni Memory Cells

Goux L.; Lisoni J.; Wang, XP; Jurczak, M; Wouters D.

Keywords: integration, scaling, NiO memory, reset current

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Título de la Revista: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
Volumen: 56
Número: 10
Editorial: IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Fecha de publicación: 2009
Página de inicio: 2363
Página final: 2368
Idioma: English
Notas: ISI