Evolution of the amount of InAs in wetting layers in an InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy

Y.H. Chen, P. Jin, L.Y. Liang, X.L. Ye., Z.G. Wang, A.I. Martinez

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Título de la Revista: NANOTECHNOLOGY
Volumen: 17
Editorial: IOP PUBLISHING LTD
Fecha de publicación: 2006
Página de inicio: 2207
Página final: 2211