Article
2005 Symposium on VLSI Technology  (2005)

Tall triple-gate devices with TiN/HfO2 gate stack

Collaert, N.; Demand, M.; Ferain, I.; Lisoni, J.; Singanamalla, R.; Zimmerman, P.; Yim, Y.S.; Schram, T.; Mannaert, G.; Goodwin, M.; Hooker, J.C.; Neuilly, F.; Kim, M.C.; De Meyer, K.; De Gendt, S.; et. al.