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JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS  (2007)

Formation of hexagonal silicon carbide by high energy ion beam irradiation on Si(100) substrate

Bhuyan, H.; Favre, M.; Valderrama E.; Avaria, G.; Chuaqui, H; Mitchell, I; Wyndham E.; Saavedra, R; Paulraj, M.

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Título según WOS: Formation of hexagonal silicon carbide by high energy ion beam irradiation on Si(100) substrate
Título de la Revista: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
Volumen: 40
Número: 1
Editorial: IOP PUBLISHING LTD
Fecha de publicación: 2007
Página de inicio: 127
Página final: 131
Idioma: English
URL: http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=1/a=003?key=crossref.f4abb6948c648e1a365ec7334b5d15e6
DOI:

10.1088/0022-3727/40/1/003
Notas: ISI