Comparing the state-of-the-art SiC MOSFETs: test results reveal characteristics of four major manufacturers of 900-V and 1.2-kV SiC devices
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Título de la Revista: | IEEE POWER ELECTRONICS MAGAZINE |
Volumen: | 4 |
Fecha de publicación: | 2017 |
Página de inicio: | 36 |
Página final: | 45 |