Comparing the state-of-the-art SiC MOSFETs: test results reveal characteristics of four major manufacturers of 900-V and 1.2-kV SiC devices

A. Marzoughi, A. Romero, R. Burgos, and D. Boroyevich

Más información

Título de la Revista: IEEE POWER ELECTRONICS MAGAZINE
Volumen: 4
Fecha de publicación: 2017
Página de inicio: 36
Página final: 45