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High temperature characterization of 1.2 kV SiC power semiconductor transistors
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| Título de la Revista: | IEEE INDUSTRIAL ELECTRONICS MAGAZINE |
| Volumen: | 9 |
| Editorial: | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC |
| Fecha de publicación: | 2015 |
| Página de inicio: | 19 |
| Página final: | 30 |