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IEEE Transactions on Nuclear Science  (2010)

TID and Displacement Damage Effects in Vertical and Lateral Power MOSFETs for Integrated DC-DC Converters

Faccio F.; Allongue B.; Blanchot G.; Fuentes, C; Michelis S.; Orlandi S.; Sorge, R

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Título según WOS: TID and Displacement Damage Effects in Vertical and Lateral Power MOSFETs for Integrated DC-DC Converters
Título según SCOPUS: TID and displacement damage effects in vertical and lateral power MOSFETs for integrated DC-DC converters
Título de la Revista: IEEE Transactions on Nuclear Science
Volumen: 57
Número: 4 PART 1
Editorial: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
Fecha de publicación: 2010
Página de inicio: 1790
Página final: 1797
Idioma: English
URL: http://ieeexplore.ieee.org/lpdocs/epic03/wrapper.htm?arnumber=5550488
DOI:

10.1109/TNS.2010.2049584
Notas: ISI, SCOPUS